Оперативная память

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В

128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц

64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-83, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В