Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 7200 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.55 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 36T, тайминги 36-42-42, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В