Найдено 50 товаров
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
1.92 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
3.84 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
3.84 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 700000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 700000/800000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1350000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1350000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 100000/180000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 100000/180000 IOps
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер