Оперативная память

128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6600 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-76, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 32 ГБ, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

128 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В