Оперативная память Kingston

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42, напряжение 1.1 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В