Оперативная память G.Skill

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-121, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.3 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7200 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-115, напряжение 1.35 В